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1.
低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料,是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一,有着潜在的应用价值。采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm~0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm~0.567 nm之间的锗纳米线的原子排布和电荷分布进行了计算研究。硅、锗纳米线宽度的改变使原子排布,纳米线的原子间键长和键角发生明显改变。纳米线表层结构的改变对各层内的电荷分布产生重要影响。纳米线中各原子的电荷转移量与该原子在表层内的位置相关。纳米线的尺寸和表层内原子排列结构对体系的稳定性产生重要影响。  相似文献   
2.
International Journal of Theoretical Physics - This paper mainly studied the observer design of Lipschitz stochastic discrete system. For the first time, generalized Lipschitz conditions are...  相似文献   
3.
Zheng  Xinyan  Hu  Po  Yao  Ruxian  cheng  Jinhe  Chang  Yiheng  Wu  Haitao  Mei  Hongying  Sun  Shuxiang  Chen  Qingtai  liu  Fang  Chen  Shujing  Wen  Hua 《Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry》2022,331(5):2217-2226
Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry - Enhancement of U(VI) biomineralization by Saccharomyces cerevisiae through addition of inorganic phosphorus was studied in this work. The addition...  相似文献   
4.
Li  Hongying  Liu  Xiaoxuan  Huang  Jiaqi  Zhu  Wenjuan  Ding  Aimin  Yao  Chengli  Zhu  Jinmiao 《Crystallography Reports》2022,67(7):1231-1238
Crystallography Reports - Sodium dodecyl sulfonate and rape pollen were selected as soft and hard templates to induce ZnO formation under hydrothermal conditions, respectively. In the preparation...  相似文献   
5.
The commonly used multi-center initiation methods always lead to the formation of quantities of homopolymer in the surface tailoring based on reverse atom transfer radical polymerization (ATRP) and reversible addition-fragmentation chain-transfer (RAFT) polymerization. In this study, a monocenter redox pair constructed of silica bearing tert-butyl hydroperoxide groups and ascorbic acid (SiO2-TBHP/AsAc) was applied to substitute the commonly used initiation method of R-supported RAFT grafting polymerization. All the propagating radicals were restricted on the surface of solid particles during the whole procedure theoretically, resulting in a higher grafting efficiency of 95.1% combined with the “controllable” feature at 10 h. This redox pair was also used to initiate the reverse ATRP in miniemulsion successfully with a grafting efficiency of 86.3% at 10 h. The grafting efficiency obtained under this monocenter initiation method was significantly higher than that of the frequently reported surface modification by reverse ATRP and RAFT polymerization. In addition, the high-efficient surface tailoring was traced and confirmed by nuclear magnetic resonance, Fourier transform infrared, X-ray photoelectron spectroscopy, thermogravimetric analysis, transmission electron microscopy, and other analysis tests. The advantage of this monocenter redox pair will open a new avenue for the potential “high-efficient” surface tailoring of various materials.  相似文献   
6.
The carbon composite materials have been a research hotspot in the fields of catalysis, energy conversion and so on, because of their features of large structure and morphology variety, good chemical and electrochemical stability, and high electronic conductivity, large specific surface area and rich active sites. This paper summarizes some research progress of carbon composite materials, including assembly methodologies, their structure regulation, properties, and related applications. Moreover, the current challenges and the prospects of these materials are also discussed.  相似文献   
7.
多孔液体(Porous Liquids, PLs)是一类结合了多孔固体永久性孔隙与液态流动性优势的新材料. 自2007年, PLs的概念被首次提出以来, 其在合成策略与应用领域方面均取得了较大的突破. 然而, 传统的PLs因高黏度、高密度、高熔点与高原材料成本等缺陷极大程度制约了其在流动工业系统中的大规模应用. 因此, 迫切需要寻求理想的位阻溶剂用于制备先进的多孔液体. 离子液体(Ionic Liquids, ILs)因独特的可调节物理特性、非挥发性、高稳定性、易获得、经济性高、低再生能耗等特性, 使其成为构筑PLs中最具有应用前景的理想溶剂之一. 在过去的5年间, 基于多种ILs与先进多孔固体(如有机笼、金属有机框架、中空碳、沸石、多孔聚合物等)制备的多孔离子液体(Porous Ionic Liquids, PILs)被陆续报道. PILs独特的永久性孔隙、无溶剂挥发、再生能力强、黏度可调、低熔点、高稳定性等特性加快了其在气体吸附、分离、催化、萃取、分子分离等领域的快速发展. 本综述围绕PILs的构筑策略、特性、应用领域等阐述了其研究进展. 最后, 对PILs在制备中存在的挑战与未来的研究方向进行了归纳与展望.  相似文献   
8.
为了改善GaN HEMT的自热效应,集成高热导率的金刚石衬底有助于增强器件有源区的热量耗散。然而,化学气相淀积(CVD)生长的多晶金刚石(PCD)具有柱状晶粒结构,导致了各向异性的材料热导率,且其热导率值与生长厚度有关。为此,通过建模金刚石生长过程中晶粒尺寸的演变过程,计算了金刚石沿面内和截面方向的热导率。基于该PCD热导率模型,利用计入材料非线性热导率的GaN器件热阻解析模型,计算得到了GaN HEMT沟道温度的波动范围,并分析了其与器件结构(栅长、栅宽、栅间距、衬底厚度)和功耗的依赖关系。最后,通过与有限元(FEM)仿真结果对比,分区域提取了GaN HEMT器件中PCD衬底的有效热导率,分别为260~310 W/(m·K)和1 250~1 450 W/(m·K)。本文的计算为预测金刚石衬底上GaN HEMT器件的沟道温度提供了快速、有效的方法。  相似文献   
9.
Yao  Wen  Chen  Yangfan  Li  Jiangling  Yang  Jian  Ren  Shan  Liu  Weizao  Liu  Qingcai 《Research on Chemical Intermediates》2022,48(5):1813-1829
Research on Chemical Intermediates - Industrial wastewater is becoming a universal environmental problem, wherein toxic organic compounds are important sources of pollution. For the degradation...  相似文献   
10.
以全血样品为原料,探讨湿法消解-原子荧光法测定全血中的硒含量。血样经硝酸-高氯酸消解后,用硼氢化钠将硒还原成硒化氢,由氩气载入原子化器,产生的原子荧光强度与试液中硒元素含量在一定范围内呈正比,外标法定量。以消解效率为指标,优化样品的消解条件,测定血中硒在0-10μg/L范围内线性情况良好,相关系数为0.9992,最低检出限为0.143μg/L,相对标准偏差为1.51%-1.58%,平均加标回收率为90.86%-104.62%。血中硒的原子荧光测定法灵敏度高,精密度和稳定性好,可应用于血中硒的生物监测。  相似文献   
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